Транзисторы BC547 n-p-n малой мощности

Цоколевка BC547

Постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при токе базы, равном нулю (V_CE0):

Постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (V_CB0):

Постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (V_EB0):

Постоянный ток коллектора (I_C):

Диапазон значений температуры хранения и эксплуатации (T_J). (T_stg):

Тепловое сопротивление переход-среда (R_ΘJA):

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_ΘJC):

Коэффициент усиления транзистора по току (h_FE) при V_CE = 5 V, I_C = 10 µA:

Коэффициент усиления транзистора по току (h_FE) при V_CE = 5 V, I_C = 2 mA:

Коэффициент усиления транзистора по току (h_FE) при V_CE = 5 V, I_C = 100 mA:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_{CE sat}) при I_C = 10 mA, I_B = 0.5 mA:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_{CE sat}) при I_C = 100 mA, I_B = 5 mA:

Напряжение насыщения база-эмиттеp (V_{BE sat}) при I_C = 10 mA, I_B = 0.5 mA:

Напряжение насыщения база-эмиттеp (V_{BE sat}) при I_C = 100 mA, I_B = 5 mA:

Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (I_CES) при V_CE = 50 V:

Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (I_CES) при V_CE = 50 V, T_j = 125 °C:

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T):

Емкость коллектоpного перехода (C_CBO) при V_CB = 10 V, f = 1 MHz:

Емкость эмиттеpного перехода (C_EBO) при V_EB = 0.5 V, f = 1 MHz:

Коэффициент шума (F) при V_CE = 5 V, I_C = 200 µA, R_G = 2 kΩ, f = 1 kHz, Δf = 200 Hz: