Сделай сам

Самоделки, хобби, увлечения.


| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

Транзисторы BC547 n-p-n малой мощности

Цоколевка BC547

Цоколевка BC547

Особенности

Максимально допустимые характеристики транзисторов BC547

Постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при токе базы, равном нулю (VCE0):

Постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (VCB0):

Постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (VEB0):

Постоянный ток коллектора (IC):

Диапазон значений температуры хранения и эксплуатации (TJ). (Tstg):

Тепловое сопротивление переход-среда (RΘJA):

Тепловое сопротивление переход-корпус (RΘJC):

Характеристики транзисторов BC547

Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 10 µA:

Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 2 mA:

Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 100 mA:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:

Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V:

Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V, Tj = 125 °C:

Граничная частота коэффициента передачи тока (fT):

Емкость коллектоpного перехода (CCBO) при VCB = 10 V, f = 1 MHz:

Емкость эмиттеpного перехода (CEBO) при VEB = 0.5 V, f = 1 MHz:

Коэффициент шума (F) при VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz, Δf = 200 Hz:

Аналоги BC547

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |