Технические характеристики транзистора BD139
BD139 – NPN кремниевые транзисторы большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Отечественный аналог BD139
Особенности
- Комплиментарная пара – BD140
Корпусное исполнение

- пластмассовый корпус SOT-32
Цоколевка BD139 (корпус SOT-32)

№1 - База
№2 - Коллектор
№3 - Эмиттер
Характеристики транзистора BD139
Предельные параметры BD139
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):
- 1,5 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):
- 3 А
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO) при (IE = 0):
- 80 V
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO) при (IB = 0):
- 80 V
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO) при (IC = 0):
- 5 V
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (IB):
- 0.5 A
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе (Ptot) при температуре корпуса 25° C:
- 12.5 W
Максимально допустимая температура перехода (Tj):
- 150° C
Электрические характеристики транзисторов BD139 (Ткорпуса=25oС если не указано иное)
Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 2 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 150 mA:
- 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))
- 0.5 V при IC = 0.5 A, IB = 0.05 A
Обратный ток коллектоpа (ICBO) (IE = 0)
- 0.1 µA при VCB = 30 V
- 10 µA при VCB = 30 V, TC = 125° C
Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)
- 10 µA при VEB = 5 V
Постоянное напряжение эмиттер-база (VBE) при IC = 0.5 A, VCE = 2 V
- 1 V
Опубликовано 18.01.2020