Технические характеристики транзистора BD139

BD139 – NPN кремниевые транзисторы большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Отечественный аналог BD139

Особенности

  • Комплиментарная пара – BD140

Корпусное исполнение

Корпусное исполнение транзистора BD139
  • пластмассовый корпус SOT-32

Цоколевка BD139 (корпус SOT-32)

Цоколевка BD139 (корпус SOT-32)

№1 - База

№2 - Коллектор

№3 - Эмиттер

Характеристики транзистора BD139

Предельные параметры BD139

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):

  • 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):

  • 3 А

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO) при (IE = 0):

  • 80 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO) при (IB = 0):

  • 80 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO) при (IC = 0):

  • 5 V

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (IB):

  • 0.5 A

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе (Ptot) при температуре корпуса 25° C:

  • 12.5 W

Максимально допустимая температура перехода (Tj):

  • 150° C

Электрические характеристики транзисторов BD139 (Ткорпуса=25oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 2 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 150 mA:

  • 40

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))

  • 0.5 V при IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

Обратный ток коллектоpа (ICBO) (IE = 0)

  • 0.1 µA при VCB = 30 V
  • 10 µA при VCB = 30 V, TC = 125° C

Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)

  • 10 µA при VEB = 5 V

Постоянное напряжение эмиттер-база (VBE) при IC = 0.5 A, VCE = 2 V

  • 1 V

Опубликовано 18.01.2020