FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT

IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входным импедансом, аналогичным МОП-транзисторам, и может управляться напряжением, подходит для применения при высоком напряжении и токах большой силы.

Транзисторы FGH40N60SFD характеризуются быстрым переключением, поэтому идеально подходят для управления силовыми устройствами, они находят применение в источниках бесперебойного питания (ИБП), блоках управления электродвигателями, индукционных варочных панелях, сварочных аппаратах и т. д.

FGH40N60SFD

Характеристики транзистора FGH40N60SFD

  • Напряжение коллектор - эмиттер (VCES) - 600 V;
  • Напряжение затвор - эмиттер (VGES) - ± 20 V;
  • Ток коллектора (IC) при TC = 25oC - 80 A;
  • Ток коллектора (IC) при TC = 100oC - 40 A;
  • Импульсный коллекторный ток (ICM) при TC = 25oC - 120 A;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 25oC - 290 W;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 100oC - 116 W;
  • Рабочая температура перехода - -55 to +150 oC;
  • Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (VCE(sat)) при IC = 40A, VGE = 15V - 2.3 V;
  • Входная емкость (Cies) при VCE = 30V, VGE = 0V, f = 1MHz - 2110 pF;
  • Время задержки включения (td(on)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 25 ns;
  • Время нарастания (tr) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 42 ns;
  • Время задержки выключения (td(off)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 115 ns;
  • Время спада (tf) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 27 ns;
Транзистор FGH40N60SFD - подробная информация.