FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FGH40N60SFD обеспечивают оптимальную производительность для установок индукционного нагрева, источников бесперебойного питания, импульсных источников питания, устройств управления электродвигателями и т. д.
- Высокая сила тока
- Низкое напряжение насыщения: VCE (sat) = 2,3 В при IC = 40 A
- Высокий входной импеданс
- Быстрое переключение
- Соответствует RoHS
- Напряжение коллектор - эмиттер (VCES) - 600 V;
- Напряжение затвор - эмиттер (VGES) - ± 20 V;
- Ток коллектора (IC) при TC = 25oC - 80 A;
- Ток коллектора (IC) при TC = 100oC - 40 A;
- Импульсный коллекторный ток (ICM) при TC = 25oC - 120 A;
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 25oC - 290 W;
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 100oC - 116 W;
- Рабочая температура перехода - -55 to +150 oC;
- Диапазон температур хранения (Tstg) - -55 to +150 oC;
- Максимальная температура пайки в течении 5 секунд (TL) - 300 oC;
TC = 25 ° C, если не указано иное
Off Характеристики:
- Напряжение пробоя коллектор - эмиттер (BVCES) при VGE = 0V, IC = 250µA - 600 V;
- Температурный коэффициент напряжения пробоя (ΔBVCES/ΔTJ) при VGE = 0V, IC = 250µA - 0.6 V/oC;
- Ток отсечки коллектора (ICES) при VCE = VCES, VGE = 0V - 250 µA;
- Ток утечки G-E (IGES) при VGE = VGES, VCE = 0V - ±400 nA;
On Характеристики:
- Пороговое напряжение G-E (VGE(th)) при IC = 250µA, VCE = VGE - 5.0 V;
- Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (VCE(sat)) при IC = 40A, VGE = 15V - 2.3 V;
Динамические характеристики:
- Входная емкость (Cies) при VCE = 30V, VGE = 0V, f = 1MHz - 2110 pF;
- Выходная емкость (Coes) при VCE = 30V, VGE = 0V, f = 1MHz - 200 pF;
- Обратная передаточная емкость (Cres) при VCE = 30V, VGE = 0V, f = 1MHz - 60 pF;
Характеристики коммутации:
- Время задержки включения (td(on)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 25 ns;
- Время нарастания (tr) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 42 ns;
- Время задержки выключения (td(off)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 115 ns;
- Время спада (tf) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 54 ns;
- Рассеиваемая энергия при включении (Eon) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 1.13 mJ;
- Рассеиваемая энергия при выключении (Eoff) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 0.31 mJ;
- Общая рассеиваемая энергия (Ets) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 25oC - 1.44 mJ;
- Время задержки включения (td(on)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 24 ns;
- Время нарастания (tr) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 43 ns;
- Время задержки выключения (td(off)) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 120 ns;
- Время спада (tf) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 30 ns;
- Рассеиваемая энергия при включении (Eon) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 1.14 mJ;
- Рассеиваемая энергия при выключении (Eoff) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 0.48 mJ;
- Общая рассеиваемая энергия (Ets) при VCC = 400V, IC = 40A, RG = 10Ω, VGE = 15V, Индуктивная нагрузка, TC = 125oC - 1.62 mJ;
- Общий заряд затвора (Qg) при VCE = 400V, IC = 40A,
VGE = 15V - 120 nC;
- Заряд затвор - эмиттер (Qge) при VCE = 400V, IC = 40A,
VGE = 15V - 14 nC;
- Заряд затвор - коллектор (Qgc) при VCE = 400V, IC = 40A,
VGE = 15V - 58 nC;
TC = 25 ° C, если не указано иное
- Прямое напряжение (VFM) при IF = 20A TC = 25°C - 1.95 V;
- Время обратного восстановления диода (trr) при IES =20A, dIES/dt = 200A/µs TC = 25°C - 45 ns;
- Заряд обратного восстановления диода (Qrr) при IES =20A, dIES/dt = 200A/µs TC = 25°C - 75 nC;
Рисунок 1. Типичные выходные характеристики
Рисунок 2. Типичные выходные характеристики
Рисунок 3. Типичные характеристики напряжения насыщения
Рисунок 4. Передаточные харатеристики
Рисунок 5. Напряжение насыщения от температуры корпуса при разных уровнях тока
Рисунок 6. Напряжение насыщения от VGE
Рисунок 7. Напряжение насыщения от VGE
Рисунок 8. Напряжение насыщения от VGE
Рисунок 9. Емкостные характеристики
Рисунок 10. Заряд затвора
Рисунок 11. Область безопасной работы
Рисунок 12. Характеристики открытия по сравнению с
сопротивлением затвора
Рисунок 13. Характеристики закрытия по сравнению с
сопротивлением затвора
Рисунок 14. Характеристики открытия по сравнению с
током коллектора
Рисунок 15. Характеристики закрытия по сравнению с
током коллектора
Рисунок 16. Зависимость потерь коммутации от сопротивления затвора
Рисунок 17. Зависимость потерь коммутации от тока коллектора
Рисунок 18. Безопасная область тока и напряжения во время операции выключения
Рисунок 19. Напряжение и ток в прямом направлении
Рисунок 20. Обратный ток и обратное напряжение
Рисунок 21. Запасенный заряд
Рисунок 22. Время обратного восстановления
Рисунок 23. Переходное тепловое сопротивление IGBT
TO-247AB (FKS PKG CODE 001)
Опубликовано 04.07.2017