Характеристики транзистора IRF840

IRF840 - это N-канальный силовой транзистор с изолированным затвором, с напряжением 500 В.

IRF840

Особенности транзистора IRF840

  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) – 0.85Ω
  • Входная емкость (Ciss) – 1300 pF
  • Максимальное напряжение сток-исток (V(BR)DSS) – 500 V

Предельные параметры транзистора IRF840

  • Максимальный постоянный ток стока (ID) при TC = 25oC, VGS = 10 V – 8 A
  • Максимальный постоянный ток стока (ID) при TC = 100oC, VGS = 10 V – 5.1 A
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM) – 32 A
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 25oC – 125 W
  • Напряжение насыщения затвор-исток (VGS) – ± 20 V
  • Ток лавинного пробоя (IAR) – 8 A
  • Повторная лавинная энергия (EAR) – 13 mJ
  • Допустимая температура кристалла во время работы и хранения (TJ, TSTG) – -55 to + 150oC
IRF840.pdf - IRF840 datasheet.