Транзистор кт825

КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — транзисторы p-n-p, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Транзистор кт825

Аналог КТ825

  • Полного аналога нет, в некоторых случаях можно заменить на TIP147, 2N6052, MJ11013, MJ11015.

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса - 100°C

КТ825 характеристики:

Предельные параметры КТ825

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ825Г, Д, Е - 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ825Г, Д, Е - 30 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ825Г - 70 В
  • КТ825Д - 45 В
  • КТ825Е - 25 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ825Г, Д, Е - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ825Г, Д, Е - 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ825Г, Д, Е - 150° C

Значения параметров КТ825 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 10 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 10 А:

  • КТ825Г, Д, Е - 750

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ825Г, Д, Е - 2 В

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ825Г, Д, Е - 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ825Г, Д, Е - 600 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ825Г, Д, Е - 600 пф

Время включения биполярного транзистора (tвкл)

  • КТ825Г, Д, Е - 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)

  • КТ825Г, Д, Е - 4,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ825Г, Д, Е - 1° С/Вт

КТ825 схема выводов

Транзистор кт825
КТ-9