Характеристики транзисторов КП303

Полевые транзисторы КП303 – малой мощности с p-n переходом и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты (КП303Д, КП303Е) и низкой (КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И) частоты с высоким входным сопротивлением. Транзистор КП303Г в основном предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.

Зарубежный аналог КП303

• Во многих случаях можно заменить на BF245

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение и цоколевка КП303

Характеристики транзисторов КП303

Предельные параметры КП303

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора (P_max) при Т = 25° C:

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 200 мВт

Максимально допустимое напряжение сток-исток (U_{СИ max}):

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 25 В

Максимально допустимое напряжение затвор-сток (U_{ЗС max}):

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 30 В

Максимально допустимое напряжение затвор-исток (U_{ЗИ max}):

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 30 В

Максимально допустимый постоянный ток стока (I_{С max}):

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 20 мА

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 85 ° C

Напряжение отсечки полевого транзистора (U_{ЗИ отс}):

• КП303А - 0,5-3 В
• КП303Б - 0,5-3 В
• КП303В - 1-4 В
• КП303Г - 8 В
• КП303Д - 8 В
• КП303Е - 8 В
• КП303Ж - 0,3-3 В
• КП303И - 0,5-2 В

Электрические характеристики транзисторов КП303 при Т = 25^oС

Ток утечки затвора (I_Зут) при U_ЗИ = 10 В

• КП303А - 1 нА
• КП303Б - 1 нА
• КП303В - 1 нА
• КП303Г - 0,1 нА
• КП303Д - 1 нА
• КП303Е - 1 нА
• КП303Ж - 5 нА
• КП303И - 5 нА

Крутизна характеристики полевого транзистора (S) при U_СИ = 10 В

• КП303А - 1-4 мА/В
• КП303Б - 1-4 мА/В
• КП303В - 2-5 мА/В
• КП303Г - 3-7 мА/В
• КП303Д - 2,6 мА/В
• КП303Е - 4 мА/В
• КП303Ж - 1-4 мА/В
• КП303И - 2-6 мА/В

Начальный ток стока (I_{С нач})

• КП303А - 0,5-2,5 мА
• КП303Б - 0,5-2,5 мА мА
• КП303В - 1,5-5 мА
• КП303Г - 3-12 мА
• КП303Д - 3-9 мА
• КП303Е - 5-20 мА
• КП303Ж - 0,3-3 мА
• КП303И - 1,5-5 мА

Входная емкость полевого транзистора (С_11И)

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 6 пФ

Проходная емкость полевого транзистора (С_12И)

• КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 2 пФ

Коэффициент шума полевого транзистора (К_Ш)

• КП303Д, КП303Е - 4 дБ

Опубликовано 18.02.2020