Характеристики транзисторов КП303
Полевые транзисторы КП303 – малой мощности с p-n переходом и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты (КП303Д, КП303Е) и низкой (КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И) частоты с высоким входным сопротивлением. Транзистор КП303Г в основном предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.
Зарубежный аналог КП303
- Во многих случаях можно заменить на BF245
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.
Корпусное исполнение и цоколевка КП303

Характеристики транзисторов КП303
Предельные параметры КП303
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора (Pmax) при Т = 25° C:
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 200 мВт
Максимально допустимое напряжение сток-исток (UСИ max):
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 25 В
Максимально допустимое напряжение затвор-сток (UЗС max):
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 30 В
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (UЗИ max):
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 30 В
Максимально допустимый постоянный ток стока (IС max):
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 20 мА
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 85 ° C
Напряжение отсечки полевого транзистора (UЗИ отс):
- КП303А - 0,5-3 В
- КП303Б - 0,5-3 В
- КП303В - 1-4 В
- КП303Г - 8 В
- КП303Д - 8 В
- КП303Е - 8 В
- КП303Ж - 0,3-3 В
- КП303И - 0,5-2 В
Электрические характеристики транзисторов КП303 при Т = 25oС
Ток утечки затвора (IЗут) при UЗИ = 10 В
- КП303А - 1 нА
- КП303Б - 1 нА
- КП303В - 1 нА
- КП303Г - 0,1 нА
- КП303Д - 1 нА
- КП303Е - 1 нА
- КП303Ж - 5 нА
- КП303И - 5 нА
Крутизна характеристики полевого транзистора (S) при UСИ = 10 В
- КП303А - 1-4 мА/В
- КП303Б - 1-4 мА/В
- КП303В - 2-5 мА/В
- КП303Г - 3-7 мА/В
- КП303Д - 2,6 мА/В
- КП303Е - 4 мА/В
- КП303Ж - 1-4 мА/В
- КП303И - 2-6 мА/В
Начальный ток стока (IС нач)
- КП303А - 0,5-2,5 мА
- КП303Б - 0,5-2,5 мА мА
- КП303В - 1,5-5 мА
- КП303Г - 3-12 мА
- КП303Д - 3-9 мА
- КП303Е - 5-20 мА
- КП303Ж - 0,3-3 мА
- КП303И - 1,5-5 мА
Входная емкость полевого транзистора (С11И)
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 6 пФ
Проходная емкость полевого транзистора (С12И)
- КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И - 2 пФ
Коэффициент шума полевого транзистора (КШ)
- КП303Д, КП303Е - 4 дБ
Опубликовано 18.02.2020