Самоделки, хобби, увлечения.

КТ817 n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ817

• Прототип КТ817 Б – BD233
• Прототип КТ817 В – BD235
• Прототип КТ817 Г – BD237

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150 °C
• Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

• аАО.336.187 ТУ/02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ817 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Технические характеристики транзистора КТ817

Предельно допустимые электрические режимы КТ817

Напряжение коллектор - эмиттер U_кэ max (R_эб≤1 кОм):

• КТ817 А, А9 - 40 В
• КТ817 Б, Б9 - 45 В
• КТ817 В, В9 - 60 В
• КТ817 Г, Г9 - 100 В

Напряжение эмиттер - база U_эб max:

• КТ817 А, А9 - 5 В
• КТ817 Б, Б9 - 5 В
• КТ817 В, В9 - 5 В
• КТ817 Г, Г9 - 5 В

Постоянный ток коллектора I_к max:

• КТ817 А, А9 - 3 А
• КТ817 Б, Б9 - 3 А
• КТ817 В, В9 - 3 А
• КТ817 Г, Г9 - 3 А

Импульсный ток коллектора I_ки max:

• КТ817 А, А9 - 6 А
• КТ817 Б, Б9 - 6 А
• КТ817 В, В9 - 6 А
• КТ817 Г, Г9 - 6 А

Максимально допустимый постоянный ток базы I_б max:

• КТ817 А, А9 - 1 А
• КТ817 Б, Б9 - 1 А
• КТ817 В, В9 - 1 А
• КТ817 Г, Г9 - 1 А

Рассеиваемая мощность коллектора P_к max:

• КТ817 А, А9 - 25 Вт
• КТ817 Б, Б9 - 25 Вт
• КТ817 В, В9 - 25 Вт
• КТ817 Г, Г9 - 25 Вт

Температура перехода T_пер:

• КТ817 А, А9 - 150 °C
• КТ817 Б, Б9 - 150 °C
• КТ817 В, В9 - 150 °C
• КТ817 Г, Г9 - 150 °C

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Т_{окр.среды}=25 °С

Источник: www.integral.by

Опубликовано 17.07.2017