Сделай сам

Самоделки, хобби, увлечения.


| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

Характеристики транзистора КТ829

КТ829 – кремниевые мезапланарные составные усилительные n-p-n транзисторы большой мощности средней частоты. Применяются в переключающих устройствах, усилителях низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ829

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

Корпусное исполнение и цоколевка КТ829

Корпусное исполнение транзистора КТ829

Схема КТ829

Корпусное исполнение транзистора КТ829

Характеристики транзистора КТ829

Предельные параметры КТ829

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при Т = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Т = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Т = 25° C:

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (PК, max) при Тк = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

Электрические характеристики транзисторов КТ829 при Тп = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 3 А:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (IКЭR)

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

Опубликовано 12.02.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |