Характеристики транзистора MJE13009

MJE13009 - Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.

Отечественный аналог MJE13009

  • КТ8260А, КТ8209А
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009

Корпусное исполнение транзистора MJE13009
  • пластмассовый корпус TO-220С

№1 - База

№2 - Коллектор

№3 - Эмиттер

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):

  • 700 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):

  • 400 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):

  • 9 V

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):

  • 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):

  • 24 А

Ток эмиттера (IE):

  • 18 А

Импульсный ток эмиттера (IEM):

  • 36 А

Ток базы (IB):

  • 6 А

Импульсный ток базы (IBM):

  • 12 А

Общая рассеиваемая мощность (PD):

  • 100 W

Максимально допустимая температура перехода (Tj):

  • 150° C

Температура хранения (Tstg):

  • -65~150° C

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Тj=25oС если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))

  • 400 V при IC = 10 mA, IB = 0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))

  • 1 V при IC = 5 A, IB = 1 A
  • 1.5 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
  • 3 V при IC = 12 A, IB = 3 A

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE(sat))

  • 1.2 V при IC = 5 A, IB = 1 A
  • 1.6 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A

Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)

  • 1 mA при VEB = 9 V

Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 5 V:

  • 8 - 40 при IC = 5 A
  • 6 - 30 при IC = 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)

  • 4 MHz при IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1MHz

Опубликовано 11.02.2020

Цифровой мультиметр HP-890CN