Характеристики германиевых транзисторов П213
П213 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Корпусное исполнение и цоколевка П213
Характеристики транзистора П213
Предельные параметры П213
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
- П213А, П213Б, П213 - 5 А
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:
- П213А, П213Б, П213 - 30 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:
- П213А, П213Б, П213 - 45 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:
- П213 - 15 В
- П213А - 10 В
- П213Б - 10 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 45° C:
- П213 - 11,5 Вт
- П213А - 10 Вт
- П213Б - 10 Вт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
- П213, П213А, П213Б - 85 ° C
Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):
- П213, П213А, П213Б - 70 ° C
Электрические характеристики транзисторов П213 при Тп = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)
- П213 - 20 - 50 при UКЭ 5 В, при IК 1 А
- П213А - 20 при UКЭ 5 В, при IК 0,2 А
- П213Б - 40 при UКЭ 5 В, при IК 0,2 А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
- П213 - 0,5 В
- П213Б - 2,5 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
- П213А - 1 мА
- П213Б - 1 мА
Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (IКЭ0)
- П213 - 20 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
- П213А, П213Б, П213 - 0,15 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)
- П213 - 3,5 ° C/Вт
- П213А - 4 ° C/Вт
- П213Б - 4 ° C/Вт
Опубликовано 14.02.2020
