Характеристики германиевых транзисторов П217

П217 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Корпусное исполнение и цоколевка П217

Характеристики транзистора П217

Предельные параметры П217

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

• П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г - 7,5 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при токе базы, равном нулю (U_{КЭ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П217, П217А, П217Б - 45 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (U_{КЭR max}) при Т_п = 25° C:

• П217В, П217Г - 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г - 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г - 15 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (P_max) при Т_к = 25° C:

• П217, П217А, П217Б - 30 Вт
• П217В, П217Г - 24 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

• П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г - 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

• П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г - 70 ° C

Электрические характеристики транзисторов П217 при Т_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э)

• П217 - 15 при U_КЭ 1 В, при I_К 4 А
• П217А - 20 - 60 при U_КЭ 5 В, при I_К 1 А
• П217Б - 20 при U_КЭ 5 В, при I_К 1 А
• П217Г - 15 - 40 при U_КЭ 3 В, при I_К 2 А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• П217, П217А, П217Б - 1 В
• П217В - 0,5 В
• П217Г - 1 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

• П217В - 3 мА
• П217Г - 3 мА

Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (I_КЭ0)

• П217, П217А, П217Б - 50 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г - 0,1 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

• П217, П217А, П217Б - 2 ° C/Вт
• П217В, П217Г - 2,5 ° C/Вт

Опубликовано 17.02.2020