Характеристики транзистора TIP41C
TIP41C - NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор, предназначен для использования в линейных схемах средней мощности.
Отечественный аналог TIP41C
Особенности
- Комплиментарная пара – TIP42C
Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C

- пластмассовый корпус TO-220
Характеристики транзистора TIP41C
Предельные параметры TIP41C
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):
- 6 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICP):
- 10 А
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):
- 100 V
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):
- 100 V
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):
- 5 V
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (IB):
- 2 A
Максимально допустимая температура перехода (Tj):
- 150° C
Электрические характеристики транзисторов TIP41C (ТC=25oС если не указано иное)
Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 3 A:
- 15 - 75
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))
- 1.5 V при IC = 6 A, IB = 600 mA
Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (ICEO) (IB = 0)
- 0.7 mA при VCE = 60 V
Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) (VEB = 0)
- 400 μA при VCE = 100 V
Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)
- 1 mA при VEB = 5 V
Постоянное напряжение база - эмиттеp (VBE(on)) при IC = 6 A, VCE = 4 V
- 2 V
Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))
- 100 V при IC = 30 mA, IB = 0
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)
- 3 MHz при IC = 500 mA, VCE = 10 V
Опубликовано 05.02.2020