Самоделки, хобби, увлечения.

TIP42C - PNP эпитаксиальный кремниевый транзистор, предназначен для использования в линейных схемах средней мощности.

Отечественный аналог TIP42C

• КТ818

Особенности

• Комплиментарная пара – TIP41C

Корпусное исполнение, цоколевка TIP42C

• пластмассовый корпус TO-220

Характеристики транзистора TIP42C

Предельные параметры TIP42C

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

• 6 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CP):

• 10 А

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO) при (I_E = 0):

• 100 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO) при (I_B = 0):

• 100 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO) при (I_C = 0):

• 5 V

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (I_B):

• 2 A

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

• 150° C

Электрические характеристики транзисторов TIP42C (Т_C=25^oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (I_C) 3 A:

• 15 - 75

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

• 1.5 V при I_C = 6 A, I_B = 600 mA

Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (I_CEO) (I_B = 0)

• 0.7 mA при V_CE = 60 V

Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (I_CES) (V_EB = 0)

• 400 μA при V_CE = 100 V

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

• 1 mA при V_EB = 5 V

Постоянное напряжение база - эмиттеp (V_BE(on)) при I_C = 6 A, V_CE = 4 V

• 2 V

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

• 100 V при I_C = 30 mA, I_B = 0

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

• 3 MHz при I_C = 500 mA, V_CE = 10 V

Опубликовано 05.02.2020