FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FGH40N60SFD обеспечивают оптимальную производительность для установок индукционного нагрева, источников бесперебойного питания, импульсных источников питания, устройств управления электродвигателями и т. д.

Особенности

Высокая сила тока
Низкое напряжение насыщения: V_{CE (sat)} = 2,3 В при I_C = 40 A
Высокий входной импеданс
Быстрое переключение
Соответствует RoHS

Абсолютные максимальные значения

Напряжение коллектор - эмиттер (V_CES) - 600 V;
Напряжение затвор - эмиттер (V_GES) - ± 20 V;
Ток коллектора (I_C) при TC = 25^oC - 80 A;
Ток коллектора (I_C) при TC = 100^oC - 40 A;
Импульсный коллекторный ток (I_CM) при TC = 25^oC - 120 A;
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) при TC = 25^oC - 290 W;
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) при TC = 100^oC - 116 W;
Рабочая температура перехода - -55 to +150 ^oC;
Диапазон температур хранения (T_stg) - -55 to +150 ^oC;
Максимальная температура пайки в течении 5 секунд (T_L) - 300 ^oC;

Электрические характеристики IGBT FGH40N60SFD

TC = 25 ° C, если не указано иное

Off Характеристики:

Напряжение пробоя коллектор - эмиттер (BV_CES) при V_GE = 0V, I_C = 250µA - 600 V;
Температурный коэффициент напряжения пробоя (ΔBV_CES/ΔT_J) при V_GE = 0V, I_C = 250µA - 0.6 V/^oC;
Ток отсечки коллектора (I_CES) при V_CE = V_CES, V_GE = 0V - 250 µA;
Ток утечки G-E (I_GES) при V_GE = V_GES, V_CE = 0V - ±400 nA;

On Характеристики:

Пороговое напряжение G-E (V_GE(th)) при I_C = 250µA, V_CE = V_GE - 5.0 V;
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (V_CE(sat)) при I_C = 40A, V_GE = 15V - 2.3 V;

Динамические характеристики:

Входная емкость (C_ies) при V_CE = 30V, V_GE = 0V, f = 1MHz - 2110 pF;
Выходная емкость (C_oes) при V_CE = 30V, V_GE = 0V, f = 1MHz - 200 pF;
Обратная передаточная емкость (C_res) при V_CE = 30V, V_GE = 0V, f = 1MHz - 60 pF;

Характеристики коммутации:

Время задержки включения (t_d(on)) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 25 ns;
Время нарастания (t_r) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 42 ns;
Время задержки выключения (t_d(off)) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 115 ns;
Время спада (t_f) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 54 ns;
Рассеиваемая энергия при включении (E_on) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 1.13 mJ;
Рассеиваемая энергия при выключении (E_off) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 0.31 mJ;
Общая рассеиваемая энергия (E_ts) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 25^oC - 1.44 mJ;
Время задержки включения (t_d(on)) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 24 ns;
Время нарастания (t_r) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 43 ns;
Время задержки выключения (t_d(off)) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 120 ns;
Время спада (t_f) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 30 ns;
Рассеиваемая энергия при включении (E_on) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 1.14 mJ;
Рассеиваемая энергия при выключении (E_off) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 0.48 mJ;
Общая рассеиваемая энергия (E_ts) при V_CC = 400V, I_C = 40A, R_G = 10Ω, V_GE = 15V, Индуктивная нагрузка, T_C = 125^oC - 1.62 mJ;
Общий заряд затвора (Q_g) при V_CE = 400V, I_C = 40A, V_GE = 15V - 120 nC;
Заряд затвор - эмиттер (Q_ge) при V_CE = 400V, I_C = 40A, V_GE = 15V - 14 nC;
Заряд затвор - коллектор (Q_gc) при V_CE = 400V, I_C = 40A, V_GE = 15V - 58 nC;

Электрические характеристики диода

TC = 25 ° C, если не указано иное

Прямое напряжение (V_FM) при I_F = 20A T_C = 25°C - 1.95 V;
Время обратного восстановления диода (t_rr) при I_ES =20A, dI_ES/dt = 200A/µs T_C = 25°C - 45 ns;
Заряд обратного восстановления диода (Q_rr) при I_ES =20A, dI_ES/dt = 200A/µs T_C = 25°C - 75 nC;