Характеристики транзистора IRF840
IRF840 - это N-канальный силовой транзистор с изолированным затвором, с напряжением 500 В.
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) – 0.85Ω
- Входная емкость (Ciss) – 1300 pF
- Максимальное напряжение сток-исток (V(BR)DSS) – 500 V
- Максимальный постоянный ток стока (ID) при TC = 25oC, VGS = 10 V – 8 A
- Максимальный постоянный ток стока (ID) при TC = 100oC, VGS = 10 V – 5.1 A
- Максимальный импульсный ток стока (IDM) – 32 A
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при TC = 25oC – 125 W
- Напряжение насыщения затвор-исток (VGS) – ± 20 V
- Ток лавинного пробоя (IAR) – 8 A
- Повторная лавинная энергия (EAR) – 13 mJ
- Допустимая температура кристалла во время работы и хранения (TJ, TSTG) – -55 to + 150oC
IRF840.pdf - IRF840 datasheet.