Самоделки, хобби, увлечения.

КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — транзисторы p-n-p, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ825

• Полного аналога нет, в некоторых случаях можно заменить на TIP147, 2N6052, MJ11013, MJ11015.

Особенности

• Максимально допустимая температура корпуса - 100°C

КТ825 характеристики:

Предельные параметры КТ825

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ825Г, Д, Е - 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ825Г, Д, Е - 30 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ825Г - 70 В
• КТ825Д - 45 В
• КТ825Е - 25 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ825Г, Д, Е - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ825Г, Д, Е - 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ825Г, Д, Е - 150° C

Значения параметров КТ825 при Т_{перехода}=25^oС

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 10 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 10 А:

• КТ825Г, Д, Е - 750

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ825Г, Д, Е - 2 В

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ825Г, Д, Е - 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ825Г, Д, Е - 600 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ825Г, Д, Е - 600 пф

Время включения биполярного транзистора (t_вкл)

• КТ825Г, Д, Е - 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (t_выкл)

• КТ825Г, Д, Е - 4,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ825Г, Д, Е - 1° С/Вт

КТ825 схема выводов