Транзистор кт827

КТ827А, КТ827Б, КТ827В — транзисторы n-p-n, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ827

Полного аналога нет.

Особенности

Максимально допустимая температура корпуса - 100°C

КТ827 характеристики:

Предельные параметры КТ827

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

КТ827А, Б, В - 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

КТ827А, Б, В - 40 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

КТ827А - 100 В
КТ827Б - 80 В
КТ827В - 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{KБ0 max}):

КТ827А - 100 В
КТ827Б - 80 В
КТ827В - 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

КТ827А, Б, В - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

КТ827А, Б, В - 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

КТ827А, Б, В - 200° C

Значения параметров КТ827 при Т_{перехода}=25^oС

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 10 А:

КТ827А, Б, В - 750...18000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

КТ827А, Б, В - 2 В

Обратный ток коллектоp-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер (I_КЭR)

КТ827А, Б, В - 3 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ827А, Б, В - 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

КТ827А, Б, В - 400 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

КТ827А, Б, В - 350 пф

Время включения биполярного транзистора (t_вкл)

КТ827А, Б, В - 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (t_выкл)

КТ827А, Б, В - 6 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

КТ827А, Б, В - 1,4...10.9° С/Вт

КТ827 цоколевка