Транзисторы КТ117 кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,45 г
№1 - Эмиттер
№2 - База 1
№3 - База 2
Максимально допустимый постоянный ток эмиттера (IЭ max) при Т = 25° C:
Максимально допустимый импульсный ток эмиттера (IЭ, и max) при Т = 25° C:
Максимально допустимое межбазовое напряжение (UБ1Б2 max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимое обратное напряжение между эмиттером и базой2 (UБ2Э max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Т = 35° C:
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
Обратный ток эмиттера (IЭБ0 max):
Коэффициент передачи (η) при UБ1Б2 = 10 В
Напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ max)
Ток включения (Iвкл)
Ток выключения (Iвыкл)
Межбазовое сопротивление (RБ1Б2)
Время включения (tвкл)
Максимальная частота генерации (fmax)
Ток модуляции (IБ2 min)
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
Опубликовано 21.02.2020