Сделай сам

Самоделки, хобби, увлечения.


| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

Характеристики транзисторов КТ117

Транзисторы КТ117 кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,45 г

Корпусное исполнение и цоколевка КТ117

Корпусное исполнение транзисторов КТ117

№1 - Эмиттер

№2 - База 1

№3 - База 2

Характеристики транзисторов КТ117

Предельные параметры КТ117

Максимально допустимый постоянный ток эмиттера (IЭ max) при Т = 25° C:

Максимально допустимый импульсный ток эмиттера (IЭ, и max) при Т = 25° C:

Максимально допустимое межбазовое напряжение (UБ1Б2 max) при Тп = 25° C:

Максимально допустимое обратное напряжение между эмиттером и базой2 (UБ2Э max) при Тп = 25° C:

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Т = 35° C:

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

Обратный ток эмиттера (IЭБ0 max):

Электрические характеристики транзисторов КТ117 при Т = 25oС

Коэффициент передачи (η) при UБ1Б2 = 10 В

Напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ max)

Ток включения (Iвкл)

Ток выключения (Iвыкл)

Межбазовое сопротивление (RБ1Б2)

Время включения (tвкл)

Максимальная частота генерации (fmax)

Ток модуляции (IБ2 min)

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

Опубликовано 21.02.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |