Самоделки, хобби, увлечения.

MJE13009 - Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.

Отечественный аналог MJE13009

• КТ8260А, КТ8209А

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009

• пластмассовый корпус TO-220С

№1 - База

№2 - Коллектор

№3 - Эмиттер

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO):

• 700 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO):

• 400 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO):

• 9 V

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

• 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CM):

• 24 А

Ток эмиттера (I_E):

• 18 А

Импульсный ток эмиттера (I_EM):

• 36 А

Ток базы (I_B):

• 6 А

Импульсный ток базы (I_BM):

• 12 А

Общая рассеиваемая мощность (P_D):

• 100 W

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

• 150° C

Температура хранения (T_stg):

• -65~150° C

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Т_j=25^oС если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

• 400 V при I_C = 10 mA, I_B = 0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

• 1 V при I_C = 5 A, I_B = 1 A
• 1.5 V при I_C = 8 A, I_B = 1.6 A
• 3 V при I_C = 12 A, I_B = 3 A

Напряжение насыщения база-эмиттеp (V_BE(sat))

• 1.2 V при I_C = 5 A, I_B = 1 A
• 1.6 V при I_C = 8 A, I_B = 1.6 A

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

• 1 mA при V_EB = 9 V

Коэффициент усиления транзистора по току(h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 5 V:

• 8 - 40 при I_C = 5 A
• 6 - 30 при I_C = 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

• 4 MHz при I_C = 0.5 A, V_CE = 10 V, f = 1MHz

Опубликовано 11.02.2020