П210 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при Тп = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (UКЭ0 max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 25° C:
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора (fh21)
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)
Опубликовано 13.02.2020