П213 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 45° C:
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (IКЭ0)
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)
Опубликовано 14.02.2020