Самоделки, хобби, увлечения.

Транзисторы КТ503 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Зарубежный аналог КТ503

• Во многих случаях можно заменить на KSC815

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

• Комплиментарная пара – КТ502

Корпусное исполнение

• Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Цоколевка КТ503

№1 - Эмиттер

№2 - База

№3 - Коллектор

Маркировка КТ503

КТ503А - сбоку белая точка, сверху темно-красная точка

КТ503Б - сбоку белая точка, сверху желтая точка

КТ503В - сбоку белая точка, сверху темно-зеленая точка

КТ503Г - сбоку белая точка, сверху голубая точка

КТ503Д - сбоку белая точка, сверху синяя точка

КТ503Е - сбоку белая точка, сверху белая точка

Характеристики транзистора КТ503

Предельные параметры КТ503

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_П = 25° C:

• КТ503А - 25 В
• КТ503Б - 25 В
• КТ503В - 40 В
• КТ503Г - 40 В
• КТ503Д - 60 В
• КТ503Е - 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_П = 25° C:

• КТ503А - 40 В
• КТ503Б - 40 В
• КТ503В - 60 В
• КТ503Г - 60 В
• КТ503Д - 80 В
• КТ503Е - 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_П = 25° C:

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{К max}) при Т = 25° C:

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 85 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ503 при Т_П = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при (U_КЭ) 5 В, (I_Э) 10 мА:

• КТ503А - 40 - 120
• КТ503Б - 80 - 240
• КТ503В - 40 - 120
• КТ503Г - 80 - 240
• КТ503Д - 40 - 120
• КТ503Е - 40 - 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U_{КЭ нас}):

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 5 МГц

Емкость коллекторного перехода (C_К)

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (C_Э)

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 30 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (R_{Т п-с})

• КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е - 214 ° C/Вт

Опубликовано 12.03.2020