Характеристики транзисторов КТ502

Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Зарубежный аналог КТ502

Во многих случаях можно заменить на KSA539

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

Комплиментарная пара – КТ503

Корпусное исполнение

Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Цоколевка КТ502

№1 - Эмиттер

№2 - База

№3 - Коллектор

Маркировка КТ502

КТ503А - сбоку светложелтая точка, сверху темно-красная точка

КТ503Б - сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка

КТ503В - сбоку светложелтая точка, сверху темно-зеленая точка

КТ503Г - сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка

КТ503Д - сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка

КТ503Е - сбоку светложелтая точка, сверху белая точка

Характеристики транзистора КТ502

Предельные параметры КТ502

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_П = 25° C:

КТ502А - 25 В
КТ502Б - 25 В
КТ502В - 40 В
КТ502Г - 40 В
КТ502Д - 60 В
КТ502Е - 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_П = 25° C:

КТ502А - 40 В
КТ502Б - 40 В
КТ502В - 60 В
КТ502Г - 60 В
КТ502Д - 80 В
КТ502Е - 90 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_П = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{К max}) при Т = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 85 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ502 при Т_П = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при (U_КЭ) 5 В, (I_Э) 10 мА:

КТ502А - 40 - 120
КТ502Б - 80 - 240
КТ502В - 40 - 120
КТ502Г - 80 - 240
КТ502Д - 40 - 120
КТ502Е - 40 - 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U_{КЭ нас}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 5 МГц

Емкость коллекторного перехода (C_К)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (C_Э)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 15 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (R_{Т п-с})

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 214 ° C/Вт

Опубликовано 16.03.2020