Постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при токе базы, равном нулю (VCE0):
Постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (VCB0):
Постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (VEB0):
Постоянный ток коллектора (IC):
Диапазон значений температуры хранения и эксплуатации (TJ). (Tstg):
Тепловое сопротивление переход-среда (RΘJA):
Тепловое сопротивление переход-корпус (RΘJC):
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 10 µA:
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 2 mA:
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 100 mA:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:
Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V:
Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V, Tj = 125 °C:
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT):
Емкость коллектоpного перехода (CCBO) при VCB = 10 V, f = 1 MHz:
Емкость эмиттеpного перехода (CEBO) при VEB = 0.5 V, f = 1 MHz:
Коэффициент шума (F) при VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz, Δf = 200 Hz: