Самоделки, хобби, увлечения.

BC557 - универсальный PNP транзистор малой мощности, используется в схемах переключения и усиления. Выпускается в пластиковых корпусах TO-92, SOT54.

Отечественный аналог BC557

• КТ3107 - меньше мощность чем у BC557

Особенности

• Комплиментарная пара – BC547

Корпусное исполнение

• пластмассовые корпуса TO-92, SOT54

Цоколевка BC557 (корпус TO-92, SOT54)

№1 - Эмиттер

№2 - База

№3 - Коллектор

Характеристики транзистора BC557

Предельные параметры BC557

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

• 100 mA

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CM):

• 200 mA

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO) при (I_E = 0):

• 50 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO) при (I_B = 0):

• 45 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO) при (I_C = 0):

• 5 V

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе (P_tot) при температуре корпуса 25° C:

• 500 mW

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

• 150° C

Электрические характеристики транзисторов BC557 (Т_{корпуса}=25^oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 5 V, при постоянном токе коллектоpа (I_C) 2 mA:

• 125 - 800

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

• 60 - 300 mV при I_C = 10 mA, I_B = 0.5 mA

Обратный ток коллектоpа (I_CBO) (I_E = 0)

• 1 - 15 nA при V_CB = 30 V
• 4 µA при V_CB = 30 V, T_j = 150° C

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

• 100 nA при V_EB = 5 V

Постоянное напряжение эмиттер-база (V_BE) при I_C = 2 mA, V_CE = 5 V

• 600 - 750 mV

Опубликовано 19.01.2020