Сделай сам

Самоделки, хобби, увлечения.


| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

Характеристики транзисторов КТ503

Транзисторы КТ503 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Зарубежный аналог КТ503

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

Корпусное исполнение

Корпусное исполнение транзистора кт503

Цоколевка КТ503

№1 - Эмиттер

№2 - База

№3 - Коллектор

Маркировка КТ503

КТ503А - сбоку белая точка, сверху темно-красная точка

КТ503Б - сбоку белая точка, сверху желтая точка

КТ503В - сбоку белая точка, сверху темно-зеленая точка

КТ503Г - сбоку белая точка, сверху голубая точка

КТ503Д - сбоку белая точка, сверху синяя точка

КТ503Е - сбоку белая точка, сверху белая точка

Характеристики транзистора КТ503

Предельные параметры КТ503

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

Электрические характеристики транзисторов КТ503 при ТП = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

Емкость коллекторного перехода (CК)

Емкость эмиттерного перехода (CЭ)

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

Опубликовано 12.03.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |