Транзисторы КТ503 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.
№1 - Эмиттер
№2 - База
№3 - Коллектор
КТ503А - сбоку белая точка, сверху темно-красная точка
КТ503Б - сбоку белая точка, сверху желтая точка
КТ503В - сбоку белая точка, сверху темно-зеленая точка
КТ503Г - сбоку белая точка, сверху голубая точка
КТ503Д - сбоку белая точка, сверху синяя точка
КТ503Е - сбоку белая точка, сверху белая точка
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
Емкость коллекторного перехода (CК)
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
Опубликовано 12.03.2020