Самоделки, хобби, увлечения.

Кремниевые эпитаксиально - планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ816

• Прототип КТ816 Б – BD234
• Прототип КТ816 В – BD236
• Прототип КТ816 Г – BD238

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150 °C
• Комплиментарная пара – КТ817

Обозначение технических условий

• аАО.336.186 ТУ/02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816 А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ816 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Технические характеристики транзистора КТ816

Предельно допустимые электрические режимы КТ816

Напряжение коллектор - эмиттер U_кэ max (R_эб≤1 кОм):

• КТ816 А, А9 - 40 В
• КТ816 Б, Б9 - 45 В
• КТ816 В, В9 - 60 В
• КТ816 Г, Г9 - 100 В

Напряжение эмиттер - база U_эб max:

• КТ816 А, А9 - 5 В
• КТ816 Б, Б9 - 5 В
• КТ816 В, В9 - 5 В
• КТ816 Г, Г9 - 5 В

Постоянный ток коллектора I_к max:

• КТ816 А, А9 - 3 А
• КТ816 Б, Б9 - 3 А
• КТ816 В, В9 - 3 А
• КТ816 Г, Г9 - 3 А

Импульсный ток коллектора I_ки max:

• КТ816 А, А9 - 6 А
• КТ816 Б, Б9 - 6 А
• КТ816 В, В9 - 6 А
• КТ816 Г, Г9 - 6 А

Максимально допустимый постоянный ток базы I_б max:

• КТ816 А, А9 - 1 А
• КТ816 Б, Б9 - 1 А
• КТ816 В, В9 - 1 А
• КТ816 Г, Г9 - 1 А

Рассеиваемая мощность коллектора P_к max:

• КТ816 А, А9 - 25 Вт
• КТ816 Б, Б9 - 25 Вт
• КТ816 В, В9 - 25 Вт
• КТ816 Г, Г9 - 25 Вт

Температура перехода T_пер:

• КТ816 А, А9 - 150 °C
• КТ816 Б, Б9 - 150 °C
• КТ816 В, В9 - 150 °C
• КТ816 Г, Г9 - 150 °C

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ816 при Т_{окр.среды}=25 °С

Источник: www.integral.by

Опубликовано 21.07.2017