КТ817 n-p-n кремниевый биполярный транзистор
КТ817 n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
- Прототип КТ817 Б – BD233
- Прототип КТ817 В – BD235
- Прототип КТ817 Г – BD237
- Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150 °C
- Комплиментарная пара – КТ816
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
- пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ817 А9, Б9, В9, Г9
Напряжение коллектор - эмиттер Uкэ max (Rэб≤1 кОм):
- КТ817 А, А9 - 40 В
- КТ817 Б, Б9 - 45 В
- КТ817 В, В9 - 60 В
- КТ817 Г, Г9 - 100 В
Напряжение эмиттер - база Uэб max:
- КТ817 А, А9 - 5 В
- КТ817 Б, Б9 - 5 В
- КТ817 В, В9 - 5 В
- КТ817 Г, Г9 - 5 В
Постоянный ток коллектора Iк max:
- КТ817 А, А9 - 3 А
- КТ817 Б, Б9 - 3 А
- КТ817 В, В9 - 3 А
- КТ817 Г, Г9 - 3 А
Импульсный ток коллектора Iки max:
- КТ817 А, А9 - 6 А
- КТ817 Б, Б9 - 6 А
- КТ817 В, В9 - 6 А
- КТ817 Г, Г9 - 6 А
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max:
- КТ817 А, А9 - 1 А
- КТ817 Б, Б9 - 1 А
- КТ817 В, В9 - 1 А
- КТ817 Г, Г9 - 1 А
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max:
- КТ817 А, А9 - 25 Вт
- КТ817 Б, Б9 - 25 Вт
- КТ817 В, В9 - 25 Вт
- КТ817 Г, Г9 - 25 Вт
Температура перехода Tпер:
- КТ817 А, А9 - 150 °C
- КТ817 Б, Б9 - 150 °C
- КТ817 В, В9 - 150 °C
- КТ817 Г, Г9 - 150 °C
Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С
Источник: www.integral.by
Опубликовано 17.07.2017