Технические характеристики транзистора КТ814

Аналог КТ814

• Прототип КТ814 Б - BD136
• Прототип КТ814 В - BD138
• Прототип КТ814 Г - BD140

Особенности

• Максимально допустимая температура корпуса - 100 °C
• Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

№1 - Эмиттер

№2 - Коллектор

№3 - База

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ814А, Б, В, Г - 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ814А, Б, В, Г - 3 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ814А - 25 В
• КТ814Б - 40 В
• КТ814В - 60 В
• КТ814Г - 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ814А, Б, В, Г - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ814А, Б, В, Г - 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ814А, Б, В, Г - 125° C

Значения параметров КТ814 при Т_{перехода}=25^oС

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 0,15 А:

• КТ814А, Б, В - 40
• КТ814Г - 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ814А, Б, В, Г - 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБО)

• КТ814А, Б, В, Г - 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ814А, Б, В, Г - 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ814А, Б, В, Г - 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ814А, Б, В, Г - 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ814А, Б, В, Г - 10° С/Вт

DC-DC понижающий преобразователь - ссылка на товар.