Технические характеристики транзистора КТ814

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

  • Прототип КТ814 Б - BD136
  • Прототип КТ814 В - BD138
  • Прототип КТ814 Г - BD140

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса - 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

Технические характеристики транзистора КТ814
  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

№1 - Эмиттер

№2 - Коллектор

№3 - База

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ814А, Б, В, Г - 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ814А, Б, В, Г - 3 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ814А - 25 В
  • КТ814Б - 40 В
  • КТ814В - 60 В
  • КТ814Г - 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ814А, Б, В, Г - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ814А, Б, В, Г - 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ814А, Б, В, Г - 125° C

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В - 40
  • КТ814Г - 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г - 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г - 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г - 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г - 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г - 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г - 10° С/Вт