Технические характеристики транзистора КТ814
КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Аналог КТ814
- Прототип КТ814 Б - BD136
- Прототип КТ814 В - BD138
- Прототип КТ814 Г - BD140
Особенности
- Максимально допустимая температура корпуса - 100 °C
- Комплиментарная пара – КТ815
Корпусное исполнение

- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)
Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)
№1 - Эмиттер
№2 - Коллектор
№3 - База
Характеристики транзистора КТ814
Предельные параметры КТ814
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):
- КТ814А, Б, В, Г - 1,5 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):
- КТ814А, Б, В, Г - 3 А
Граничное напряжение (UKЭ0 гр):
- КТ814А - 25 В
- КТ814Б - 40 В
- КТ814В - 60 В
- КТ814Г - 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):
- КТ814А, Б, В, Г - 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:
- КТ814А, Б, В, Г - 10 Вт
Максимально допустимая температура перехода (Тп max):
- КТ814А, Б, В, Г - 125° C
Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС
Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:
- КТ814А, Б, В - 40
- КТ814Г - 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
- КТ814А, Б, В, Г - 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБО)
- КТ814А, Б, В, Г - 0,05 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
- КТ814А, Б, В, Г - 3 МГц
Емкость коллектоpного перехода (CК)
- КТ814А, Б, В, Г - 60 пф
Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)
- КТ814А, Б, В, Г - 75 пф
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)
- КТ814А, Б, В, Г - 10° С/Вт
DC-DC понижающий преобразователь - ссылка на товар.