Сделай сам

Самоделки, хобби, увлечения.


| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

Характеристики транзистора BD140

BD140 - кремниевые PNP-транзисторы, выпускаемые в пластиковом корпусе SOT-32, предназначенны для использования в аудио усилителях и драйверах.

Отечественный аналог BD140

Особенности

Корпусное исполнение

Корпусное исполнение транзистора BD140

Цоколевка BD140 (корпус SOT-32)

Цоколевка BD140 (корпус SOT-32)

№1 - База

№2 - Коллектор

№3 - Эмиттер

Характеристики транзистора BD140

Предельные параметры BD140

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO) при (IE = 0):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO) при (IB = 0):

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO) при (IC = 0):

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (IB):

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе (Ptot) при температуре корпуса 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (Tj):

Электрические характеристики транзисторов BD140 (Ткорпуса=25oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 2 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 150 mA:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))

Обратный ток коллектоpа (ICBO) (IE = 0)

Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)

Постоянное напряжение эмиттер-база (VBE) при IC = 0.5 A, VCE = 2 V

Опубликовано 18.01.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |