КТ815 – биполярные транзисторы n-p-n большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
№1 - Эмиттер
№2 - Коллектор
№3 - База
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):
Граничное напряжение (UKЭ0 гр):
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:
Максимально допустимая температура перехода (Тп max):
Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 2 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 0,15 А:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
Обратный ток коллектоpа (IКБО)
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
Емкость коллектоpного перехода (CК)
Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)