Самоделки, хобби, увлечения.

BD139 – NPN кремниевые транзисторы большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Отечественный аналог BD139

• КТ815Г

Особенности

• Комплиментарная пара – BD140

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус SOT-32

Цоколевка BD139 (корпус SOT-32)

№1 - База

№2 - Коллектор

№3 - Эмиттер

Характеристики транзистора BD139

Предельные параметры BD139

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

• 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CM):

• 3 А

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO) при (I_E = 0):

• 80 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO) при (I_B = 0):

• 80 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO) при (I_C = 0):

• 5 V

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (I_B):

• 0.5 A

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе (P_tot) при температуре корпуса 25° C:

• 12.5 W

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

• 150° C

Электрические характеристики транзисторов BD139 (Т_{корпуса}=25^oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 2 V, при постоянном токе коллектоpа (I_C) 150 mA:

• 40

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

• 0.5 V при I_C = 0.5 A, I_B = 0.05 A

Обратный ток коллектоpа (I_CBO) (I_E = 0)

• 0.1 µA при V_CB = 30 V
• 10 µA при V_CB = 30 V, T_C = 125° C

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

• 10 µA при V_EB = 5 V

Постоянное напряжение эмиттер-база (V_BE) при I_C = 0.5 A, V_CE = 2 V

• 1 V

Опубликовано 18.01.2020