Сделай сам

Самоделки, хобби, увлечения.


| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

Технические характеристики транзистора КТ814

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

Особенности

Корпусное исполнение

Технические характеристики транзистора КТ814

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

№1 - Эмиттер

№2 - Коллектор

№3 - База

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

Емкость коллектоpного перехода (CК)

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |